封装/外壳：PG-TO252-3

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：P-Channel

Vds-漏源极击穿电压：30V

Id-连续漏极电流：70A

Rds On-漏源导通电阻：5mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：91nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：100W

通道模式：Enhancement

高度：2.3mm

长度：6.5mm

系列：OptiMOSP3

晶体管类型：1P-Channel

宽度：6.22mm

正向跨导 - 最小值：50S

下降时间：31ns

上升时间：100ns

典型关闭延迟时间：84ns

典型接通延迟时间：11ns

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：6.8mΩ

IDpuls max：-280.0A

VDS max：-30.0V

ID max：-70.0 A

Package：DPAK (TO-252)

Rth：1.5 K/W

QG：68.0 nC

Budgetary Price €€/1k：0.34

RDS (on) (@4.5V) max：11.0mΩ

Ptot max：100.0W

VGS(th) min max：-1.0 V -2.0 V

Coss：2090.0pF

Ciss：5150.0pF

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs